SamsungとBroadcomが次世代AIインフラ構築で戦略的提携を拡大します。HBM供給や2nm以下プロセス、2.3D/2.5D統合技術を融合し、高性能・低消費電力な半導体を実現。5年間で2000億ドル規模の協業を見込みます。
SamsungとBroadcomがAI半導体で協業拡大、HBM供給から2nm製造・先端パッケージまで
編集メモ: SamsungとBroadcomの提携強化は、AI半導体における製造・パッケージングの競争が激化し、より高性能かつ高効率なインフラ環境が整うことを意味します。
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