中国が3nm GAAトランジスタをEUVなしで試作。実用化の壁とは？

中国がEUVなしで3nmゲートオールアラウンド（GAA）トランジスタを開発

China crafts working 3nm gate-all-around transistors without EUV — stacked nanosheets target 3nm without EUV, but full node remains distant

上級 Tom's Hardware 専門メディア動向・その他 2026-09-21T12:30:00

編集メモ: 中国によるEUV非使用での3nm級GAA技術試作は、半導体製造の限界突破に向けた重要な技術的進歩ですが、実用化までの道のりには依然として高いハードルが残されています。

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中国のIMECASが、EUV（極端紫外線）露光装置を使わずに3nm級のGAAトランジスタを試作しました。スタック型ナノシート技術を駆使していますが、実用化に向けたフルノードの構築には依然として長い道のりが必要とされています。