Samsungは、AIデータセンターの需要に応える新たなメモリ技術として、zHBM、zNAND-O、BV-NANDの3種を発表しました。これらはすべて、同社の高度なウェハー接合技術を活用し、各市場のパフォーマンス要求に対応するように設計されています。
Samsung、AIデータセンター向け次世代メモリ技術「zHBM」など3種を発表
Samsung debuts three next-generation memory technologies for AI data centers — zHBM, zNAND-O, and BV-NAND all rely on advanced wafer bonding technologies
編集メモ: AIデータセンターの処理能力向上に伴い、従来のメモリの限界を突破する高度なウェハー接合技術や新規格が次々と登場しており、インフラ選定時には最新の技術動向の把握が不可欠です。
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