SMICの「N+3」プロセス技術は、EUV露光装置なしでTSMCのN6に匹敵するトランジスタ密度を実現した。ただし、最新の生産ノードと同等の性能や電力効率を達成するには依然として課題が残る。
SMICの7nmノード分析：中国半導体製造の重大な進歩
SMIC's third-gen 7nm node shows smaller metal pitch than Intel 18A, higher transistor density than TSMC N6 without EUV — analysis of N+3 shows significant advancement for Chinese semi manufacturing
編集メモ: 中国の半導体技術がEUVなしで一定の密度を達成した事実は、製造プロセスの多様化とサプライチェーン戦略において、日本の製造業が注視すべき大きな動きです。
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