東京大学の研究チームが、DRAMの1,000倍の速度（40ピコ秒）でビット反転が可能な非揮発性磁気メモリ素子を開発しました。発熱を抑えられるため、次世代の省電力AIハードウェアやメモリシステムへの応用が期待されます。
次世代メモリ技術：DRAMの1,000倍速いレーザー駆動スピントロニクスデバイスを開発
Laser-driven spintronic memory device switches 1,000 times faster than DRAM —non-volatile device switches in 40 picoseconds while generating almost no heat
編集メモ: 東大が開発した超高速かつ低発熱な新型磁気メモリは、次世代AIハードウェアのボトルネックを解消し、電力効率と演算性能を劇的に引き上げる技術として、今後の開発トレンドを左右する可能性が高いです。