SK hynixは、次世代AI向けDRAM「HBM4E」の12層品サンプルを主要顧客に出荷しました。転送速度は最大16Gbps/pin、容量48GBを実現し、電力効率を前世代比で20％以上向上させました。熱抵抗もHBM4より17％低減しており、AIインフラ市場における競争力強化と供給主導権の確保を目指します。